特許

J-GLOBAL ID：200903061843270527

表示装置

発明者： 竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-101573
公開番号（公開出願番号）：特開2000-347599
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】良好な表示特性を有する表示装置を提供すること。【解決手段】 絶縁表面を有する基板と、前記基板上に形成された複数の電圧供給線と、マトリクス状に配置された複数の画素であって、それぞれ前記基板上に形成された第1の素子と第2の素子と電極とを有する画素と、前記基板上に形成され、前記画素を駆動する駆動回路であって、第3の素子を有する駆動回路と、を有し、前記第1の素子のソースまたはドレインに、前記第2の素子のゲートが接続されている表示装置であって、前記第1の素子および前記第2の素子は、アモルファスシリコンを有するN型の薄膜トランジスタであることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板と、前記基板上に形成された複数の電圧供給線と、マトリクス状に配置された複数の画素であって、それぞれ前記基板上に形成された第1の素子と第2の素子と電極とを有する画素と、前記基板上に形成され、前記画素を駆動する駆動回路であって、第3の素子を有する駆動回路と、を有し、前記第1の素子のソースまたはドレインに、前記第2の素子のゲートが接続されている表示装置であって、前記第1の素子および前記第2の素子は、アモルファスシリコンを有するN型の薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。

IPC (3件)：

G09F 9/30 338 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-272521
  
• 特開昭58-147069
  
• 特開昭60-010676