特許
J-GLOBAL ID：200903061853037774
電界放出陰極およびその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256217
公開番号（公開出願番号）：特開平6-111712
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 マイクロ真空デバイスなどに用いる電界放出陰極材料において、金属が使え、特性がよく、信頼性の高いかつ形状制御の容易な電界放出陰極をうる。【構成】 基板1上に金属膜を形成し、マスクを使用しイオンビームエッチングすると共にマスク材の側壁に前記エッチングされた金属を再付着させて金属薄膜壁を形成したのちマスク材を除去し、該エミッタ4の周囲基板上に絶縁層2を介してゲート電極3を形成し、再付着金属からなる金属薄膜エミッタ先端4bを有する電界放出電極を形成する。【効果】 金属で電極ができるため、性能、信頼性が高く、かつ再付着を利用することで製造コストの安い電界放出陰極をえることができる。また、大面積化に対しても有利な構造をとることができる。
請求項（抜粋）：
基板上にエミッタが形成され、該エミッタの少なくとも周囲にゲート電極が形成されてなる電界放出陰極であって、前記エミッタが金属材料で形成され、かつその先端が薄膜壁で尖鋭に形成されてなる電界放出陰極。
IPC (2件)：
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