特許
J-GLOBAL ID：200903061853211790
半導体素子の三重ウェル形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288626
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195816
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、各ウェルの濃度を容易に調節することができるよう4個のウェル・マスクを利用して三重ウェルを形成することにより、半導体素子の特性及び信頼性を向上させることができる半導体素子の三重ウェル形成方法を提供することにその目的がある。【解決手段】 本発明の半導体素子の三重ウェル形成方法では、半導体基板11に深い第1Nウェル17を形成し、その上側に第1Pウェル21を浅く形成した後、前記第1Nウェル17に第2Nウェル23、即ちRウェルを浅く形成して、前記第1Nウェル17と隣接する第2Pウェル27を浅く形成する。
請求項（抜粋）：
P形半導体基板を提供する工程と、前記半導体基板上に、一部分を露出させる第1感光膜パターンを形成する工程と、前記第1感光膜パターンをマスクに利用し、前記半導体基板の露出した部分にイオン注入を行い、前記半導体基板内に第1Nウェルを形成する工程と、前記半導体基板を熱処理して第1感光膜パターンを除去する工程と、前記半導体基板上に、前記第1Nウェルの一部分を露出させる第2感光膜パターンを形成する工程と、前記第2感光膜パターンを介し、前記半導体基板にイオン注入を行い、前記第1Nウェルまで分布する第1Pウェルを形成する工程と、前記第2感光膜パターンを除去し、前記半導体基板上に、前記第1Nウェルの他の部分を露出させる第3感光膜パターンを形成する工程と、前記第3感光膜パターンをマスクに利用し、前記半導体基板にイオン注入を行い、前記第1Nウェルの他の部分にまで分布する第2Nウェルを形成する工程と、前記第3感光膜パターンを除去し、前記半導体基板上に、前記第1Nウェル上側を除外した他の部分を露出させる第4感光膜パターンを形成する工程と、前記第4感光膜パターンをマスクに利用し、前記第1Nウェルと隣接する半導体基板部分にイオン注入を行い、第2Pウェルを形成する工程とを含んでなることを特徴とする半導体素子の三重ウェル形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/266
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
H01L 21/265 M
, H01L 27/08 321 B
