特許

J-GLOBAL ID：200903061853393406

半導体力学量センサおよびその製造方法

発明者： 酒井 峰一 ,  竹内 幸裕 ,  豊田 稲男 ,  石王 誠一郎 ,  山本 敏雅 ,  川崎 栄嗣 ,  村田 稔 ,  武藤 浩司
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-262319
公開番号（公開出願番号）：特開2000-206142
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の半導体層に溝を形成することにより可動電極及び当該可動電極と対向する固定電極とを形成してなる半導体加速度センサにおいて、ハンドリングで発生する静電気力による可動電極と固定電極との付着を防止する。【解決手段】 加速度センサ100のセンサ部101は、第1の半導体層1aに支持され加速度の印加に応じて変位する重錘部6及びこの重錘部6に一体形成された可動電極9a、9bからなる可動部2と、該可動電極9a、9bの検出面と対向する検出面を有し第1の半導体層1aに支持された固定電極3b、4bとを有する。センサ部101の外周には、ハンドリングで接触するハンドリング部102が溝103を介して設けられ、この溝103によって両部101、102は電気的に絶縁されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1a)に支持され力学量の印加に応じて変位する重錘部(6)及びこの重錘部(6)に一体形成された可動電極(9a、9b)からなる可動部(2)と、前記可動電極(9a、9b)の検出面と対向する検出面を有し前記半導体基板(1a)に支持された固定電極(3b、4b)とを有するセンサ部(101)を備え、力学量の印加に応じて前記可動部(2)が変位したときの前記可動電極(9a、9b)の検出面と前記固定電極(3b、4b)の検出面との間の距離変化に応じて印加力学量を検出する半導体力学量センサにおいて、ハンドリングで接触するハンドリング部(102、1e)と前記センサ部(101)との間を電気的に絶縁する絶縁部(103、113)が設けられていることを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (2件)：

G01P 15/125 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01P 15/125 ,  H01L 29/84 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• センサおよびセンサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-240583   出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング