特許

J-GLOBAL ID：200903061856762690

低酸素ケイ素造粒物及びその製造方法並びに窒化ケイ素の製造方法

発明者： 紺谷 義治 ,  福岡 宏文
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-021009
公開番号（公開出願番号）：特開平10-203818
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1998年08月04日
要約：

【要約】【課題】 流動層反応炉における窒化反応において、管内の付着、析出がなく、反応性が高くなり、良質の窒化ケイ素を得ることができる低酸素ケイ素造粒物を得る。また、上記低酸素ケイ素造粒物を効率よく工業的に有利に製造する。更に、上記低酸素ケイ素造粒物を用いて高品質のα型比率の高い均質な窒化ケイ素を容易に製造する。【解決手段】 比表面積が0.3m2/g以上、酸素含有量が0.5重量%以下、空隙率が35%以上70%以下であることを特徴とする低酸素ケイ素造粒物。最大粒子径が30μm以下の金属ケイ素粉末に有機バインダー水溶液を添加して混合、造粒した後、得られら造粒物を1〜10容積%のメタンガスを含む不活性ガス雰囲気下、1,150〜1,350°Cの温度で熱処理して上記低酸素ケイ素造粒物を製造する。上記低酸素ケイ素造粒物をアンモニア又は水素を含む窒素雰囲気にて1,150〜1,400°Cで窒化して窒化ケイ素を製造する。

請求項（抜粋）：

比表面積が0.3m2/g以上、酸素含有量が0.5重量%以下、空隙率が35%以上70%以下であることを特徴とする低酸素ケイ素造粒物。

IPC (2件)：

C01B 33/113 ,  C01B 21/068

FI (2件)：

C01B 33/113 A ,  C01B 21/068 F