特許

J-GLOBAL ID：200903061858507108

ゲート駆動回路及びゲート駆動電圧を発生する方法

発明者： リチャード・ケイ・ウィリアムズ
出願人/特許権者： シリコニックス・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-321659
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037303
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 通常のMOSFETと同様のオン抵抗を備え、ドレイン端子とボディ端子との間の逆並列ダイオードを動作させない双方向電流阻止MOSFETを提供し、双方向に電流を流す双方向電流阻止MOSFETのゲート駆動回路を提供することを目的とする。【構成】 ボディ領域と、ボディ領域内に形成された第2導電型のチャネル領域と、ボディ領域内に形成されかつチャネル領域によって互いに分離された第1導電型の第1領域及び第2領域と、ゲート酸化膜によってボディ領域から分離され、かつチャネル領域の上に配置されたゲートとを有する双方向電流阻止MOSFETと、ゲート酸化膜の厚さによって決定される最大の電圧にゲート駆動電圧を制限するための、第1領域と、第2領域と、ゲートとに接続された電圧発生回路とからなる。

請求項（抜粋）：

双方向電流阻止MOSFETのゲートに印加されるゲート駆動電圧を発生するゲート駆動回路であって、前記双方向電流阻止MOSFETが、ボディ領域と、前記ボディ領域内に形成された第2導電型のチャネル領域と、前記ボディ領域内に形成されかつ前記チャネル領域によって互いに分離された第1導電型の第1領域及び第2領域と、ゲート酸化膜によって前記ボディ領域から分離され、かつ前記チャネル領域の上に配置されたゲートとを有し、前記第1領域及び第2領域が、前記ボディ領域から電気的に絶縁されており、前記ゲート駆動回路が、前記ゲート酸化膜の厚さによって決定される最大の電圧に前記ゲート駆動電圧を制限するための、前記第1領域と、前記第2領域と、前記ゲートに接続された電圧発生回路を有することを特徴とするゲート駆動回路。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H03K 17/06 ,  H03K 17/16 ,  H03K 17/687

FI (3件)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 301 X ,  H03K 17/687 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭61-176211