特許

J-GLOBAL ID：200903061860170404

半導体装置およびその製造方法

発明者： 渡辺 博文
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-299217
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125046
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】 電源電圧などが異なる複数種のMOSトランジスタの構造の最適化を設計,製造の自由度を高めてかつ容易に実現することが可能である。【構成】 各ゲート電極6,26をマスクとしてn-型の低不純物濃度領域7b,8b,27b,28bを形成し、この側壁にサイドウォールスペーサ9,10,29,30を形成する。次いで、基板3と垂直に、ヒ素を注入しn+型の高不純物濃度部7a,8aを形成する。しかる後、基板3に対し斜めにヒ素を注入することで、ヒ素をサイドウォール29,30の下側まで注入して、高不純物濃度部27a,28aを形成する。この結果、第2のトランジスタ2の低不純物濃度部(n-型領域)27b,28bの幅を第1のトランジスタ1の低不純物濃度部(n-型領域)7b,8bの幅よりも小さくできる。

請求項（抜粋）：

複数種のMOSトランジスタが混在する半導体装置であって、少なくとも1つの種類のMOSトランジスタのソース領域およびドレイン領域の低不純物濃度部の幅が、他の種類のMOSトランジスタのソース領域およびドレイン領域の低不純物濃度部の幅と異なっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/088 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 27/08 102 C ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-283666
  
• 特開平3-180058
  
• 特開平4-088669
  
• 特開平3-195057