特許
J-GLOBAL ID：200903061860776922
半導体装置の積層配線構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
澤井 敬史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-111999
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326105
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】銅系薄膜と半導体基板との密着性を改善するとともに、不純物の膜界面への侵入を抑制して銅の拡散を防止することにより、信頼性の高い積層配線を提供する。【構成】半導体基板上に形成する銅を含む金属膜を用いた積層配線において、積層配線構造を、チタン膜と窒化チタン膜とタングステン膜と銅を含む金属膜とタングステン膜と窒化チタン膜とチタン膜とをこの順に形成した構造としたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された半導体装置に対する積層配線構造であって、前記半導体基板側からチタン膜と窒化チタン膜とタングステン膜と、銅を含む金属膜とタングステン膜と窒化チタン膜の積層順に構成したことを特徴とする半導体装置の積層配線構造。
FI (2件)：
H01L 21/88 R
, H01L 21/88 M
