特許

J-GLOBAL ID：200903061862178330

半導体レーザ

発明者： 高見 芳夫
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 中井 宏行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-077662
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283794
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 製造工程が簡単で、埋め込み活性層と確実な電流ブロック層とを備えた半導体レーザを提供する。【構成】 半導体積層基板内に形成された2つのクラッド層5a,6aで活性層1を挟んだ半導体レーザにおいて、上記半導体積層基板の層構造を無秩序化するイオンと、上記半導体積層基板を高抵抗化するイオンとが、上記半導体積層基板の中央のストライプ状の部分1aを除く部分に注入されて、上記ストライプ状の上記活性層1aの部分が埋め込み活性層1aに形成されると共に、上記埋め込み活性層1aの両側に、屈折率の小さな層と、電流ブロック層とを兼ねた層2が形成された構造となっている。

請求項（抜粋）：

半導体積層基板内に形成された2つのクラッド層で活性層を挟んだ半導体レーザにおいて、上記半導体積層基板の層構造を無秩序化するイオンと、上記半導体積層基板を高抵抗化するイオンとが、上記半導体積層基板の中央のストライプ状の部分を除く部分に注入されて、上記ストライプ状の上記活性層の部分が埋め込み活性層に形成されると共に、上記埋め込み活性層の両側に、光を閉じ込める為の屈折率の小さな層と、高抵抗の電流ブロック層とを兼ねた層が形成された構造を特徴とした半導体レーザ。