特許

J-GLOBAL ID：200903061863954279

樹脂製中空パッケージを用いた半導体装置

発明者： 山中 英雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189965
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005726
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 高精度で、しかもコストダウンが可能が中空パッケージを用いた半導体装置を提供すること。【構成】 樹脂製の基台3に設けられた搭載部に半導体素子2を接続し、ボンディングワイヤー7を介して半導体素子2と接続されるリード6を基台3に取り付け、基台3上面に下部開口の凹部40が設けられた蓋4を取り付けたもので、リード6のうちボンディングワイヤー7と接続されるインナーリード61の接続部61a以外を基台3内に埋め込み、インナーリード61からアウターリード62を延設する。また、搭載部を凸状や凹状にしたり、搭載部の下方に放熱孔を設ける。

請求項（抜粋）：

上面の搭載部に半導体素子が接続された樹脂製の基台と、前記基台に取り付けられ、前記半導体素子とボンディングワイヤーにて接続されたリードと、前記基台の上面に接続され、前記半導体素子と前記ボンディングワイヤーとの周囲を包囲する下部開口の凹部が形成された蓋とから成る樹脂製中空パッケージを用いた半導体装置において、前記リードのうち、前記ボンディングワイヤーと接続されるインナーリードの接続部以外が前記基台内に埋め込まれているとともに、前記インナーリードからアウターリードが延設されていることを特徴とする樹脂製中空パッケージを用いた半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/08 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/50 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 23/12 K ,  H01L 27/14 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-011356
  
• 特開昭51-097976
  
• 特開昭63-131552
  
• 特開昭60-245150