特許
J-GLOBAL ID：200903061868600319
半導体薄膜サーミスタおよび赤外線検出素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-289131
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140204
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 アモルファス合金半導体薄膜の高抵抗変化率の維持が出来、金属電極との間に良好なコンタクト性を持つ半導体薄膜サーミスタを提供する。【構成】 この発明の半導体薄膜サーミスタは、半導体薄膜1にそれぞれ接するようにして一対の金属電極2a,2bが設けられており、半導体薄膜が、一対の金属電極と非接触に配置されたアモルファス合金半導体薄膜11と、このアモルファス合金半導体薄膜と前記一対の金属電極の間に配置された単一元素半導体薄膜12a〜12dとからなり、かつ、前記単一元素半導体薄膜が前記アモルファス合金半導体薄膜側に形成されたアモルファス合金半導体薄膜と同一導電型の層と前記金属電極側に形成されたアモルファス合金半導体薄膜とは逆導電型の層からなっていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
温度の変化によって抵抗値が変化する抵抗体が半導体薄膜で形成されており、この半導体薄膜にそれぞれ接するようにして一対の金属電極が設けられている半導体薄膜サーミスタにおいて、前記半導体薄膜が、前記一対の金属電極と非接触に配置されたアモルファス合金半導体薄膜と、このアモルファス合金半導体薄膜と前記一対の金属電極の間に配置された単一元素半導体薄膜とからなり、かつ、前記単一元素半導体薄膜が前記アモルファス合金半導体薄膜側に形成されたアモルファス合金半導体薄膜と同一導電型の層と前記金属電極側に形成されたアモルファス合金半導体薄膜とは逆導電型の層からなっていることを特徴とする半導体薄膜サーミスタ。
IPC (5件)：
H01C 7/02
, G01J 1/02
, G01J 5/02
, G01K 7/22
, H01L 37/00
