特許

J-GLOBAL ID：200903061873962490

積層型バリスタ

発明者： 中山 晃慶 ,  中村 和敬 ,  米田 康信 ,  坂部 行雄
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-112086
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283209
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 電気的特性の悪化を回避しながら、内部電極に採用される金属材料のコストを低減できる積層型バリスタを提供する。【構成】 半導体セラミクスからなる焼結体4の内部に内部電極3を埋設して積層型バリスタ1を構成する場合に、上記焼結体4に、ZnOを主成分とし、これにPrの酸化物をPrに換算して0.05〜5モル%含有してなるセラミクス材料を採用する。これにより内部電極に安価な銀パラジウム合金の採用を可能にする。

請求項（抜粋）：

半導体セラミクスからなる焼結体の内部に内部電極を埋設してなる積層型バリスタにおいて、上記焼結体が、ZnOを主成分とし、これにPrの酸化物をPrに換算して0.05〜5モル%含有してなるセラミクス材料により構成されていることを特徴とする積層型バリスタ。