半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大岩増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-106684
公開番号（公開出願番号）：特開平8-307003
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】半導体レーザ装置のクラッド層の結晶の劣化を防止し、垂直放射角の拡がりを抑制する。【構成】第2クラッド層14を、GaAsよりも格子定数の大きいp-AlGaAs層15とGaAsよりも格子定数の小さいp-InGaAsP層16とを交互に積層した超格子構造とし、GaAs基板1に格子整合することにより、結晶の劣化を防止でき、クラッド層の厚さを十分に厚くすることができる。その結果、GaAsコンタクト層10への光のしみ出しを防止し、垂直放射角の拡がりを抑制できる。また、リッジ上部または下部のGaAs層を除去することにより、垂直放射角の拡がりを抑制することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1クラッド層、この第1クラッド層上に形成された活性層、この活性層上に形成され、中央部にリッジ部を備えた第2クラッド層、上記リッジ部の周囲に形成された電流ブロック層、上記リッジ部および上記電流ブロック層上に形成されたキャップ層、上記半導体基板および上記キャップ層にそれぞれ接合された電極を備え、上記第1クラッド層および上記第2クラッド層のいずれか一方または両方が、それぞれ上記半導体基板および上記キャップ層に対して格子整合する超格子層よりなることを特徴とする半導体レーザ装置。

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