電荷転送装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044457
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338524
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】高感度で、低使用電圧で且つ構造の簡単な電荷転送装置を提供する。【構成】電荷転送装置はn型半導体基板101の表面に形成された高抵抗のp型ウェル層102を有する。ウェル層102の表面には、n型電荷転送チャネル層103aと、n型電荷蓄積チャネル層103bと、n型電荷排出チャネル層115と、n型電荷排出ドレイン層108が連続的に形成される。蓄積チャネル層103bの表面には、電荷検出トランジスタのp型電荷感知チャネル層111が形成される。感知チャネル層111は転送チャネル103a層及び排出チャネル層115のいずれとも接触しないように配置される。電荷がない状態の蓄積チャネル層103bの電位は、排出ドレイン層108の電位より高く設定される。

請求項（抜粋）：

表面を有する第1導電型半導体基板と、前記基板の前記表面に形成された高抵抗の第2導電型ウェル層と、前記ウェル層の表面に形成された第1導電型電荷転送チャネル層と、前記転送チャネル層に接続するように前記基板の前記表面に形成された第1導電型電荷蓄積チャネル層と、前記蓄積チャネル層に接続するように前記基板の前記表面に形成された第1導電型電荷排出チャネル層と、前記排出チャネル層に接続するように前記基板の前記表面に形成された第1導電型電荷排出ドレイン層と、前記転送チャネル層と蓄積チャネル層との接続部上に、絶縁膜を介して配設された出力ゲート電極と、前記蓄積チャネル層上に形成された被覆絶縁膜と、前記排出チャネル層上に絶縁膜を介して配設されたリセットゲート電極と、前記蓄積チャネル層と積重ね状態となるように前記基板内に形成された、電荷検出トランジスタの第2導電型電荷感知チャネル層と、前記感知チャネル層を挟んで対向するよう前記基板の前記表面に形成された、前記電荷検出トランジスタの第2導電型ソース層及びドレイン層と、を具備し、前記蓄積チャネル層が、前記転送チャネル層に隣接して前記被覆絶縁膜に接触する第1表面部分と、前記排出チャネル層に隣接して前記被覆絶縁膜に接触する第2表面部分と、を有する電荷転送装置。

IPC (2件)：

H01L 21/339 , H01L 29/796

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-230747
特開昭64-017469
特開平2-230747

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