特許

J-GLOBAL ID：200903061882715951

反応性イオンエッチング用のマスク

発明者： 中谷 功
出願人/特許権者： 科学技術庁金属材料技術研究所長 ,  科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-256636
公開番号（公開出願番号）：特開平11-092971
出願日： 1997年09月22日
公開日（公表日）： 1999年04月06日
要約：

【要約】【課題】 生産性に優れ、加工精度の高い磁性材料のエッチングを可能とする。【解決手段】 プラズマによる反応性イオンエッチングのためのマスクであって、チタン、マグネシウム、アルミニウム、ゲルマニウム、白金、パラジウムおよびこれらの各々の、もしくは2種以上を主成分とする合金、あるいは化合物のうちの少くとも1種で構成する。

請求項（抜粋）：

プラズマによる反応性イオンエッチングのためのマスクであって、チタン、マグネシウム、アルミニウム、ゲルマニウム、白金、パラジウムおよびこれらの各々を、もしくは2種以上を主成分とする合金あるいは化合物のうちの少なくとも1種で構成されていることを特徴とする反応性イオンエッチング用のマスク。

IPC (4件)：

C23F 4/00 ,  G11B 5/127 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 43/12

FI (4件)：

C23F 4/00 A ,  G11B 5/127 K ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/302 J