特許
J-GLOBAL ID：200903061885148756
半導体製造装置等における加熱装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-297123
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136074
出願日： 1991年11月13日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 半導体製造装置等における加熱装置を小型化し、騒音、振動、電力を大幅に低減すること、フィラメントを長寿命化すること、並びにエネルギー効率を良くすること。【構成】 本発明の加熱装置1は水冷を可能とする反射板5と必要波長域にたいして光学的に透明な窓6を有する減圧可能なチャンバー(真空チャンバー)13及びこのチャンバー内にランプ管壁を持たないむき出しのまま配置されたフィラメント3から構成される。チャンバー内には放電を防止するため不活性ガスが導入される。これによりランプの管壁を有しないため、これを空冷する必要がなく冷却装置が省ける。またフィラメント構成金属を有するガスを満たすことによりフィラメント金属の蒸発を補償する。
請求項（抜粋）：
反射板と光学的に透明な窓を有する減圧可能なチャンバー、前記チャンバー内に配置された熱源としてランプ管壁を持たないむき出しのままのフィラメント、及び前記チャンバー内に導入された不活性ガスを有することを特徴とする加熱装置。
IPC (2件)：
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