特許
J-GLOBAL ID：200903061886473510
力変換素子およびこれを用いた圧力検出回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-212082
公開番号（公開出願番号）：特開平6-034455
出願日： 1992年07月16日
公開日（公表日）： 1994年02月08日
要約：
【要約】【目的】 使用するリード線の本数を削減することができ、優れた温度特性と、より広い使用温度範囲を有する力変換素子を提供すること。【構成】 力変換素子1000は、(110)結晶面40aを有するシリコン半導体40と、シリコン半導体40の結晶面40a上に、結晶の〈110〉方向またはこれと等価な方向に相対向して設けられた入出力共用電極対42,42 ́と、前記シリコン半導体40の結晶面40aと接合され、圧縮力Wをその結晶面40aに垂直に伝達する力伝達ブロック60と、前記シリコン半導体40の力伝達ブロック接合面の反対側の面と接合されシリコン半導体40を支持する支持台座70とを含む。そして、前記入出力共用電極対42,42 ́を介してシリコン半導体40に電流を流しながら、力伝達ブロック60を介しシリコン半導体40の結晶面40aに垂直に圧縮力Wを作用させ、前記入出力共用電極対42,42 ́から圧縮力Wに対応した測定電圧を出力する。
請求項（抜粋）：
圧縮力が加えられる面として(110)面またはこれと等価な結晶面を有するように形成されたSi半導体と、前記Si半導体の前記結晶面上に、結晶の〈110〉方向またはこれと等価な方向に相対向して設けた入出力共用電極対と、前記Si半導体の前記結晶面と接合され、圧縮力をその結晶面に垂直に伝達する力伝達ブロックと、前記Si半導体の、前記力伝達ブロックの接合された面に対向する面と接合され、このSi半導体を支持するための支持台座と、を含み、前記入出力共用電極対を用いてSi半導体に電流を流しながら、力伝達ブロックを介しSi半導体の前記結晶面に垂直に圧縮力を作用させ、前記入出力共用電極対から圧縮力に対応した測定電圧を出力することを特徴とする力変換素子。
IPC (3件)：
G01L 1/16
, G01L 9/00
, G01L 9/08
