特許

J-GLOBAL ID：200903061886666718

半導体装置の製造方法

発明者： 伊倉 恒生
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-352716
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183150
出願日： 1998年12月11日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 シリコン酸化膜でボイド無くトレンチを埋め込む半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 トレンチが形成された下地2上に、有機SOG膜20を塗布する。トレンチ部分に堆積した有機SOG膜20の一部の有機基を、深さ方向に対して酸素プラズマにより除去する。この工程で前記有機SOG膜中に有機基が残留している部分は、トレンチ内部の底面から200nmだけになる。エッチレートの違いを利用して少なくとも一部の有機基が除去された部分22のみを選択的にエッチバック除去する。トレンチのアスペクトを減じた後、埋め込み性に優れなおかつ熱酸化膜に近い特性を持つ高密度プラズマCVDシリコン酸化膜を堆積する。これによりトレンチをボイド無く絶縁物質で埋め込むことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板にトレンチを形成する工程と、前記基板上および前記トレンチ内部に、有機基を有するシリコン酸化膜を形成する工程と、前記基板表面よりも下でトレンチ底部よりも上の部分まで、前記シリコン酸化膜の有機基を除去する工程と、前記有機基を取り去った部分の前記シリコン酸化膜を除去する工程と、高密度プラズマCVD法により、前記トレンチに形成された前記シリコン酸化膜上にあらたにシリコン酸化膜を形成する工程とを有する、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/762

FI (4件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/76 D

Fターム (19件)：

5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA50 ,  5F032AA70 ,  5F032DA04 ,  5F032DA09 ,  5F032DA28 ,  5F032DA33 ,  5F032DA34 ,  5F058AA10 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG04 ,  5F058AH06 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BJ06