特許

J-GLOBAL ID：200903061887729217

中性粒子線加工装置

発明者： 横川 賢悦 ,  湯之上 隆 ,  水谷 巽
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-179596
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037859
出願日： 1993年07月21日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 メッシュ状電極群を用いずに被加工試料へ入射する荷電粒子を阻止することで、メッシュ状電極群に付随する汚染等の問題を解決する高速中性粒子線を用いた加工装置を提供する。【構成】 被加工試料21の前面で被加工試料表面と水平になる磁場を形成し、かつ被加工試料あるいは、被加工試料を設置する試料台22にイオンを遮蔽する直流電位を印加した。また本発明による効果を十分発揮するためには前記磁場を形成する手段の磁極間隔をあまり大きくすることができないため、該磁場を形成する手段開口部を長方形状とした。これにより、被加工試料全面に高速粒子線を供給するため、円盤状試料台の円周上に被加工試料を配置し、該試料台を回転させる機能を付加した。

請求項（抜粋）：

プラズマ形成手段と該プラズマ形成手段からイオン線を引き出す手段と該イオン線を中性化し高速中性粒子線を形成する手段を有し、更に該高速中性粒子線を照射する被加工試料前面に該被加工試料表面に平行な磁場を形成し被加工試料への電子の入射を阻止する手段と、該被加工試料に該被加工試料への残留イオンの入射を阻止する直流電位を印加する手段を有する事を特徴とする中性粒子線加工装置。