特許
J-GLOBAL ID:200903061888866358

パターン形成方法、光学素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 増田 達哉 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-352996
公開番号(公開出願番号):特開2000-181086
出願日: 1998年12月11日
公開日(公表日): 2000年06月30日
要約:
【要約】【課題】簡略化された工程により優れた形状精度で微細パターンを形成可能なパターン形成方法およびこれを用いた光学素子の製造方法を提供する。【解決手段】レジスト層13にリソグラフ法によりパターンを形成するパターン形成方法であって、レジスト層13に対し相対的にマスク11を移動させて露光していくことによりレジストパターン13aを形成することを特徴とする。マスク11を露光光の進行方向と直交する方向に移動させることが好ましく、レジストパターン13aを光学素子の機能に応じた起伏面とすることが好ましい。
請求項(抜粋):
レジスト層にリソグラフ法によりパターンを形成するパターン形成方法において、前記レジスト層に対し相対的にマスクを移動させて露光していくことによりレジストパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件):
G03F 9/00 ,  G02B 3/00 ,  G02B 5/18 ,  G03F 7/22
FI (4件):
G03F 9/00 Z ,  G02B 3/00 Z ,  G02B 5/18 ,  G03F 7/22 Z
Fターム (7件):
2H049AA33 ,  2H049AA48 ,  2H097AA11 ,  2H097AA16 ,  2H097BB01 ,  2H097GB01 ,  2H097LA15

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