特許

J-GLOBAL ID：200903061888987805

半導体ウエハを洗浄する装置と方法

発明者： へンリー・エフ・アーク ,  ロナルド・ディーン・バートラム ,  ユージーン・ロバート・ホランダー ,  ジン・チャイ
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-098085
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293478
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハを均一に洗浄し、その洗浄に要する期間を最少にし、ウエハが超音波に暴露される期間を最少にし、かつ洗浄工程における超音波の効力を最大にする、半導体ウエハの改良された洗浄装置と洗浄方法を提供する。【解決手段】 液体を入れるタンク、タンク内に入れた液体を通じて超音エネルギーを誘導する手段、ウエハホルダーおよびウエハ移動機構からなる半導体ウエハ洗浄装置;ならびに浴槽に液体を入れて気体-液体界面を形成させ、半導体ウエハを浴槽中にその少なくとも一部を液体中にかつ気体-液体界面より下方にほぼ直立した姿勢で入れ;音波を液体に誘導し、そしてウエハの全表面が気体-液体界面を繰返し通過するよう、ウエハの位置およびウエハに対する浴槽内液体のレベルの少なくとも一方を変化させることからなるウエハ洗浄方法。

請求項（抜粋）：

浴槽中に液体を入れて液体の表面で気体-液体界面を形成させ;半導体ウエハを浴槽中に、ほぼ直立した状態で配向させ、そしてウエハの少なくとも一部が液体中で気体-液体界面の下方にあるように入れ;音エネルギーを液体に誘導し;半導体ウエハの全表面が気体-液体界面を通過するように、(a)半導体ウエハの位置および(b)半導体ウエハに対する浴槽内液体のレベルの少なくとも一方を変化させ;そして上記工程を複数回繰返す;ことからなる半導体ウエハの洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 T