特許
J-GLOBAL ID：200903061896404576
配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-255074
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124926
出願日： 1994年10月20日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 信頼性に優れるかつ微細な銅の配線を従来より簡易に形成出来る方法を提供する。【構成】 配線を形成したい下地11上に感光性SOGの膜13を形成する。このSOGの膜13に、配線パターンに対応した溝15をリソグラフィにより形成する。溝15の形成が済んだ試料上にTiN層17と、Cu層19と、Cu-Ti合金層21とをこの順にかつこれら層が溝15を埋めるよう形成する。次に、これら層21、19、17を、溝15周囲のSOGの膜の表面が露出するまで化学的機械的研磨法により除去する。次に、この試料をアンモニア雰囲気で加熱処理してCu-Ti合金層21の表層部にTiN膜21aを形成する。
請求項（抜粋）：
配線を形成したい下地上に感光性SOG(スピンオングラス)の膜を形成する工程と、該SOGの膜に、形成したい配線パターンに対応した溝をリソグラフィにより形成する工程と、該溝の形成が済んだ試料上にバリア性および導電性を有した第1の被覆層と、配線主材料からなる層と、バリア性および導電性を有した第2の被覆層とをこの順にかつこれら層が前記溝を埋めるよう形成する工程と、前記形成された第2の被覆層、配線主材料からなる層および第1の被覆層を、前記溝周囲のSOGの膜の表面が露出するまで除去する工程とを含むことを特徴とする配線の形成方法。
FI (3件)：
H01L 21/88 M
, H01L 21/88 K
, H01L 21/88 R
