特許

J-GLOBAL ID：200903061903630528

窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード

発明者： 山崎 史郎 ,  小出 典克 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  新技術事業団 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-106056
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297494
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 レーザの発振しきい値電流を低下させること。【構成】活性層5をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層4,6で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1) から成るレーザダイオードにおいて、活性層5を、Siが添加されたn型伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0 ≦y ≦1)で形成した。この結果、発光効率が向上したため、発振しきい値電流が低下した。

請求項（抜粋）：

活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0 ≦x≦1,0≦y≦1)から成るレーザダイオードにおいて、前記活性層を、Siが添加されたn型伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y ≦1)で形成したことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00