特許

J-GLOBAL ID：200903061904362969

多層配線基板の製造方法

発明者： 山野 和彦 ,  宮崎 信 ,  今川 俊次郎
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-047398
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250857
出願日： 1995年03月07日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】有機高分子材料を層間絶縁膜とした多層配線基板の製造において、配線基板表面の凹凸を低減させた製造方法を提供する。【構成】(a)基板1上に有機高分子材料からなる絶縁膜2を形成した後、1層目の配線を形成する工程と、(b)基板上の配線部分以外に、この配線とほぼ等しい厚さの有機高分子材料からなる平坦化用絶縁膜10aを形成する工程と、(c)有機高分子材料からなる層間絶縁膜5を形成し、バイアホール6を形成する工程と、(d)下地導体膜3bを形成した後フォトレジスト層7を形成する工程と、(e)フォトレジスト層7を露光、現像して配線パターンを形成する工程と、(f)導体4bを形成して2層目の配線を形成する工程と、(g)フォトレジスト7、および導体4bの形成されていない下地導体膜3bを除去する工程とからなる。

請求項（抜粋）：

次の工程よりなる多層配線基板の製造方法。(a)基板上に有機高分子材料からなる絶縁膜を形成した後、該絶縁膜上に1層目の配線を形成する工程、(b)基板上の1層目の配線部分以外に、該配線とほぼ等しい厚さの有機高分子材料からなる平坦化用絶縁膜を形成する工程、(c)1層目の配線および平坦化用絶縁膜を形成した基板上に、有機高分子材料からなる層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜にバイアホールを形成する工程、(d)層間絶縁膜およびバイアホール部分に、下地導体膜を形成した後フォトレジスト層を形成する工程、(e)フォトマスクを用いてフォトレジスト層を露光、現像して配線パターンを形成する工程、(f)配線パターンに導体を形成して2層目の配線を形成する工程、(g)フォトレジスト、および導体の形成されていない下地導体膜を除去する工程。

FI (3件)：

H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 T