特許

J-GLOBAL ID：200903061913214999

半導体結晶成長装置

発明者： 瀬古 保次
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-093959
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286201
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 渦流を発生し難く、押圧ガスの流量を大幅に増やすことができ、再現性よく基板表面全体に良好な半導体結晶を成長させることができる半導体結晶成長装置を提供すること。【解決手段】 基板3に対向して設けられた反応ガス供給管1と、基板に対向して設けられ反応ガス10と略平行に且つ反応ガス10を取り囲むように押圧ガス11を供給する押圧ガス供給管2とを備え、基板3の表面が、重力方向、乃至重力方向に対して平行に向いている、或いは反応ガス供給管1が、複数の個別反応ガス供給管の集合体からなる半導体結晶成長装置。

請求項（抜粋）：

基板を載置し回転可能なサセプタと、基板に対向して設けられ、基板に対して垂直乃至傾斜して反応ガスを供給する反応ガス供給管と、基板に対向して設けられ、基板に対して垂直乃至傾斜して、反応ガス供給管から供給された反応ガスと略平行に、且つ反応ガスを取り囲むように押圧ガスを供給する押圧ガス供給管と、を備える半導体結晶成長装置であって、前記基板の表面が、重力方向、乃至重力方向に対して平行に向いていることを特徴とする半導体結晶成長装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C

Fターム (37件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EA08 ,  4G077ED06 ,  4G077EG22 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TG06 ,  4G077TH06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F045AB06 ,  5F045AB10 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB02 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DP05 ,  5F045DP28 ,  5F045EB15 ,  5F045EE14 ,  5F045EE17 ,  5F045EE20 ,  5F045EF01 ,  5F045EF08