特許

J-GLOBAL ID：200903061920905956

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 奥田 哲朗
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-215068
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068220
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 高い単一モード安定性と高歩留まり特性と高効率・高出力特性を併せ持つ半導体レーザおよびその製造方法を実現すること。【解決手段】 共振器方向についての一部に形成される回折格子と、共振器方向の全体にわたって形成される活性層と、光出射側となる一方の面には低反射膜が形成され、他方の面には高反射膜が形成された半導体レーザであって、回折格子を形成する領域の長さが素子長の52%以上64%以下で、回折格子の結合係数と回折格子形成領域長の積が0.8以上2以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

共振器方向についての一部に形成される回折格子と、共振器方向の全体にわたって形成される活性層と、光出射側となる一方の面には低反射膜が形成され、他方の面には高反射膜が形成された半導体レーザであって、回折格子を形成する領域の長さが素子長の52%以上64%以下で、回折格子の結合係数と回折格子形成領域長の積が0.8以上2以下であることを特徴とする半導体レーザ。