特許
J-GLOBAL ID:200903061926886538

超電導磁石装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-114352
公開番号(公開出願番号):特開平9-276246
出願日: 1996年04月12日
公開日(公表日): 1997年10月28日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】磁気共鳴イメ-ジング装置用超電導磁石装置において、広い開口を備え、磁場漏洩を少なく、軽量で、かつ、製造原価の低廉な超電導磁石装置を提供する。【解決手段】超電導磁石装置(21)では、冷却容器(22)に囲まれた冷媒容器(26)内に支持された超電導コイル(24)が均一磁場領域(25)を挾んで対向する位置に、常電導コイル(33、34)が、上側の冷却容器(22)の上端外周部及び下側の冷却容器(22)の下端外周部にそれぞれ配置され、超電導コイル(24)は均一磁場領域(25)に均一で高強度の磁場を発生させ、常電導コイル(33、34)は超電導コイル(24)が発生する磁場とは逆向きの磁場を発生させ、装置外部の漏洩磁場を低減させる。
請求項(抜粋):
超電導特性を有する物質から構成され、有限の領域に第1の方向に向かう均一磁場を発生させるための電流を流す静磁場発生源と、該静磁場発生源を超電導特性を示す温度にまで冷却し保持するための冷却手段と、前記静磁場発生源を支持するための支持手段を具備する超電導磁石装置において、前記静磁場発生源は前記第1の方向に沿って配置された1個以上の静磁場発生素子から構成され、前記静磁場発生源2組が前記均一磁場領域を挾んで前記第1の方向に沿ってほぼ等距離に配置され、かつ、前記冷却手段の外部に前記静磁場発生源が発生する磁場とほぼ逆向きの磁場を発生する打ち消し磁場発生手段を有することを特徴とする超電導磁石装置。
IPC (4件):
A61B 5/055 ,  G01R 33/3815 ,  H01F 7/20 ,  H01F 6/00 ZAA
FI (5件):
A61B 5/05 331 ,  H01F 7/20 C ,  A61B 5/05 310 ,  G01N 24/06 510 C ,  H01F 7/22 ZAA Z
引用特許:
審査官引用 (1件)

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