特許

J-GLOBAL ID：200903061930241150

半導体装置

発明者： 多田 ▲吉▼秀
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-090217
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302815
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】 縦型超薄膜トランジスタにおいて、チャネル領域の内部までチャネル電子を誘起させ、チャネルとして動作する領域を広げ、トランジスタの駆動能力を向上させた半導体装置を提供する。【構成】 基板10の上部には突出部20が形成されており、この突出部20には、ドレイン領域22、チャネル領域26及びソース領域24が形成されている。また、基板10および突出部20の表面はすべてSiO2 で形成される酸化膜30によって覆われており、チャネル領域26の表面にはゲート電極32が形成されている。そして、チャネル領域26の側壁近傍の不純物がp- 型であり、その突出部20の線幅中央部のp+ 型に比べてその濃度が薄くなっている。このため、ゲート電極32に電荷が印加されたときにチャネル領域26の突出部20内に生成するエネルギーバンドの曲りが、その両側壁面の近傍のみならず、内部までゆるやかに延びるようになる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に線状の素子領域を突出形成し、ここにソース領域と、ドレイン領域と、該ソース領域及びドレイン領域間にチャネル領域と、を設け、そのチャネル領域に絶縁体膜を介して電界を印加するゲート電極を設けた電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、前記チャネル領域のゲート電極に沿った側壁近傍は、その突出部の線幅中央部に比べ不純物濃度が薄いことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-125667
  
• 特開昭62-162360
  
• 特開昭61-292963