特許

J-GLOBAL ID：200903061935300651

加速度センサ内蔵ガスレートセンサ

発明者： 西尾 友行 ,  樋山 智 ,  土肥 瑞穂
出願人/特許権者： 本田技研工業株式会社
代理人 (1件)： 下田 容一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054122
公開番号（公開出願番号）：特開平7-260818
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体製造プロセスを用いて多軸加速度センサおよび多軸型ガスレートセンサを一体化して構成し、検出精度および信頼性が高く、使い勝手のよい加速度センサ内蔵ガスレートセンサを提供する。【構成】 半導体基板3に加速度センサ部5を構成する密閉空間7、発熱抵抗体Hおよび感温抵抗体X1、X2、Y1、Y2と、ガスレートセンサ部4を構成するガス流路6およびヒートワイヤ抵抗体HW-l、HW-rとを半導体製造プロセスを用い、製造マスクを共用して形成する加速度センサ内蔵ガスレートセンサ1。

請求項（抜粋）：

所定の気体を封入した密閉空間と、この密閉空間内に配置され、前記気体を加熱して前記密閉空間内に温度分布を形成する発熱抵抗体および感温抵抗体とを備え、加速度の作用に対応して発生する前記密閉空間内の温度分布の変化を前記感温抵抗体が検出する加速度センサと、ガス流路と、このガス流路内に配置されたヒートワイヤ抵抗体とを備え、角速度の作用に対応して発生するガス流の偏向を前記ヒートワイヤ抵抗体が検出する角速度センサとを半導体製造プロセスを用いて複数個の半導体基板上に形成し、この複数個の半導体基板のそれぞれを一方向に貼り合せ、一体的に形成したことを特徴とする加速度センサ内蔵ガスレートセンサ。

IPC (2件)：

G01P 9/00 ,  G01P 15/12