特許
J-GLOBAL ID：200903061940882545
オキシナイトライド膜およびその形成方法ならびにそのオキシナイトライド膜を用いた素子分離酸化膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-013674
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203884
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 その厚み方向に組成が変化するオキシナイトライド膜を使用することによって、素子分離酸化膜のバーズビークの延びを抑制するとともにシリコン基板の主表面における結晶欠陥の発生をも抑制する。【構成】 シリコン基板1の主表面上に、その厚み方向に酸素と窒素の組成比が変化するオキシナイトライド膜2を形成し、このオキシナイトライド膜2上にシリコン窒化膜3を形成する。このとき、オキシナイトライド膜2においてシリコン基板1に近い部分がシリコン酸化膜に近い組成を有し、シリコン窒化膜3に近づくにつれてシリコン窒化膜に近い組成を有するように、オキシナイトライド膜2の組成を調整する。そして、シリコン窒化膜3とオキシナイトライド膜2とをそれぞれ所定形状にパターニングする。このシリコン窒化膜3とオキシナイトライド膜2とをマスクとして用いて、シリコン基板1の主表面を熱酸化する。
請求項（抜粋）：
所定量の酸素と窒素とを含むオキシナイトライド膜であって、その厚み方向に前記酸素と前記窒素の組成比が変化する、オキシナイトライド膜。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 21/762
H01L 21/94 A
, H01L 21/76 D
