特許
J-GLOBAL ID：200903061940913327
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-175304
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027397
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ密度の均一化を図り、被処理試料のプラズマ処理中のチャージアップを防止することができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 エッチング反応室21とそれを真空排気する排気系22、エッチングガスをエッチング反応室21に導入するガス導入系23、被エッチング試料28を載置する下部電極24と、その上方に設置された上部電極25、下部電極24に高周波電力を印加する電源26および下部電極24近傍で下部電極24に平行な磁界を形成するための一対の励磁コイル27により構成される。ここで、下部電極24は、磁界(B)31に対して交差するように傾けることができる構造となっている。
請求項（抜粋）：
真空反応室と、該真空反応室内を真空排気する装置と、前記真空反応室内に放電ガスを導入する装置と、被処理試料を載置する下部電極と、該下部電極に高周波電力を印加する装置と、前記被処理試料近傍において作用する磁界を発生する装置を含むプラズマ処理装置において、前記下部電極と前記磁界との交差する角度を制御する角度制御手段を設けることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
H05H 1/46 M
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
