特許

J-GLOBAL ID：200903061941060794

半導体装置の製造方法

発明者： 岡 信介
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-156672
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006939
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】【目的】多層配線技術において段差の凹部にスルーホールを形成しても信頼性を損うことがなく、半導体装置の設計の自由度を向上させる。【構成】SOG膜等の第2の絶縁膜がスルーホールに露出した段階でプラズマガスに晒す。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の配線層を形成し、該第1の配線層上に第1の絶縁膜を形成し、該第1の絶縁膜上に塗布法により第2の絶縁膜を形成し、該第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成し、これら第1、第2及び第3の絶縁膜に穴を形成して前記第1の配線層の表面の一部を露出させ、この半導体基板をプラズマガスに晒し、前記穴内に配線材が入り込むように第2の配線層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。