特許

J-GLOBAL ID：200903061942483710

半導体装置の作製方法

発明者： 大谷 久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-049667
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289326
出願日： 1997年02月18日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 水素プラズマ処理を使用しないで、非晶質珪素膜が結晶された結晶性珪素膜の結晶粒界の欠陥をパッシベーションする。【解決手段】 ガラス基板101上には、下地膜102、非晶質珪素膜103が結晶化された結晶性珪素膜105が形成される。NF3 ガスが添加された酸素雰囲気において加熱することにより、結晶性珪素膜105の表面に熱酸化膜106を成長させる。熱酸化膜106が成長されるに従って、未結合状態のSiが生成されて、この余剰のSiにより結晶性珪素膜105の結晶粒界の欠陥がパッシベーションされる。そして、熱酸化膜106を除去して、結晶性珪素膜105を島状にパターニングしてTFTの活性層107を形成して、ゲイト絶縁膜108、ゲイト電極109等を順次に形成して、TFTを完成する。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜を結晶化して、結晶性珪素膜を形成する工程と、フッ素化合物気体が添加された酸化性雰囲気中で加熱して、前記結晶性珪素膜の表面に熱酸化膜を成長させる工程と、前記結晶性珪素膜表面の熱酸化膜を除去する工程と、前記結晶性珪素膜の表面に絶縁膜を堆積する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (5件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 V