特許

J-GLOBAL ID：200903061945318338

半導体装置及びその製造方法

発明者： 森▲崎▼ 祐輔 ,  杉田 義博 ,  入野 清
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190145
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008004
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 換算膜厚の薄膜化を図りつつ、トンネル効果によるリーク電流を抑えたゲート絶縁膜を形成する。【解決手段】 シリコン単結晶基板1上にゲート絶縁膜2を形成する工程と、上記ゲート絶縁膜2上に導電膜を形成する工程と、少なくとも上記導電膜を加工してゲート電極3を形成する工程とを含み、上記ゲート絶縁膜2を、シリコン単結晶基板1上にCVD法により堆積形成した膜厚1nm程度のアルミニウム酸化膜2aと、上記アルミニウム酸化膜2a上にCVD法により堆積形成した膜厚4nm程度のハフニウム酸化膜2bと、上記ハフニウム酸化膜2b上に上記アルミニウム酸化膜2aと同様の形成条件によりCVD法により堆積形成した膜厚1nm程度のアルミニウム酸化膜2cとから形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、上記ゲート絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、少なくとも上記導電膜を加工してゲート電極を形成する工程とを含み、上記ゲート絶縁膜を、第1の絶縁膜と、上記第1の絶縁膜の半導体基板側及びゲート電極側のうち少なくともいずれか一方の面に形成された上記第1の絶縁膜よりも誘電率の低い材料からなる第2の絶縁膜とから形成し、上記第1の絶縁膜に対して上記第2の絶縁膜が遍在することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (29件)：

5F140AA19 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BE03 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK12 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CE07