特許
J-GLOBAL ID：200903061946966635
プラズマアシスト誘電体層形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-177219
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045919
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【構成】第1の真空室1で発生したプラズマを第2の真空室2に導き、そこで、原料ガスを該プラズマ5中に供給して励起、分解し、それにより発生した活性種を基体3材料と反応させることにより、基体3表面に誘電体層を形成する。【効果】基体3とプラズマ5の距離を調節して、基体にダメージを与える荷電粒子の基体への到達量を制御し、反応に関わる活性種の基体への到達量を最適化できる。
請求項（抜粋）：
第1の真空室においてプラズマを発生させ、該プラズマを基体の設置された第2の真空室に導き、第2の真空室において、原料ガスを該プラズマ中に供給して励起、分解し、それにより発生した活性種を基体材料と反応させることにより、基体表面に誘電体層を形成することを特徴とするプラズマアシスト誘電体層形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/31
, C23C 8/36
, H01J 27/08
, H01J 37/08
, H01L 21/205
