特許

J-GLOBAL ID：200903061949941889

プラズマ処理方法

発明者： 藤村 修三 ,  竹内 達也 ,  宮永 毅 ,  中野 賀正 ,  的場 唯次
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-153493
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102092
出願日： 1991年06月25日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 本発明はプラズマ処理方法に関し、水素原子や水素イオン処理を高速化させる水素を用いたプラズマ処理方法を実現することを目的とする。【構成】 水素分子を主成分とする第1のガスと該第1のガスより少ない量の水素を含む第2のガスとをチャンバ(8)内に供給する第1のステップと、第1及び第2のガスからなる混合ガスのプラズマをチャンバ(8)内で発生することにより被加工物表面(1)にプラズマ処理を施す第2のステップとからなり、第2のガスは、水素及び酸素を含む有機化合物又は水素を含む無機化合物からなるように構成する。

請求項（抜粋）：

チャンバ内で被加工物表面にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、水素分子を主成分とする第1のガスと該第1のガスより少ない量の水素を含む第2のガスとをチャンバ内に供給する第1のステップと、該第1及び第2のガスからなる混合ガスのプラズマをチャンバ内で発生することにより被加工物表面にプラズマ処理を施す第2のステップとからなり、該第2のガスは水素及び酸素を含む有機化合物又は水素を含む無機化合物からなることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  B01J 19/08 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46