特許

J-GLOBAL ID：200903061952600952

半導体装置及びその製造方法

発明者： 森下 泰之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-354228
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181206
出願日： 1992年12月15日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【目的】 少くともチタン系金属薄膜を金配線の上部及び側部に被着させ、金配線と絶縁膜との密着性を向上させる半導体装置及びその製造方法の提供。【構成】 金配線8を第2のチタン系金属6の薄膜で覆った後、この配線上にフォトレジスト10を設け、LPD法によりLPD酸化膜9を成長させ(工程D)、全面エッチバックして該配線8の上部及び側部に第2のチタン系金属6の薄膜を形成させる(工程E)。【効果】 金配線を覆うチタン系金属薄膜を100オングストロ-ム程度に薄くしても、従来法では不可能であつた金配線の側面にもチタン系金属薄膜を残存させることができ、配線間隔を微細にすることができる。

請求項（抜粋）：

金を主な構成要素とする配線よりなり、該配線上を少なくともチタンを含む金属薄膜で覆った後、この配線上にフォトレジストを設け、このフォトレジストの存在しない箇所にLPD法によるLPD酸化膜を成長させ、全面エッチバックして該配線の上部及び側部に少なくともチタンを含む金属薄膜を形成させてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/88 A ,  H01L 21/88 R