特許

J-GLOBAL ID：200903061954660626

結晶化半導体薄膜の製造方法ならびにその製造装置

発明者： 谷口 仁啓 ,  綱沢 啓 ,  岡崎 真也 ,  乾 哲也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-007631
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349269
出願日： 2003年01月15日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】ラテラル成長方向の距離をより長くして、良質の多結晶化半導体薄膜を効率よく製造する結晶化半導体薄膜の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】パルス放射する微細幅のスリット状のエネルギービームを半導体薄膜5に照射して、該エネルギービームの照射領域における上記半導体薄膜5を厚さ方向全域にわたって溶融、凝固させて結晶化を行う結晶化半導体薄膜の製造方法であって、上記半導体薄膜5には、主ビーム6と、主ビーム6よりも小さいエネルギー密度を有し、かつ上記主ビーム6と隣り合うように副ビーム7を照射する【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

主エネルギービームと、単位面積あたりのエネルギーが該主エネルギービームよりも小さくかつ半導体薄膜が溶融するエネルギーのしきい値より低い副エネルギービームとを、基板上に形成された半導体薄膜に、パルス照射することにより該半導体薄膜を厚さ方向の全域にわたって溶融させて、その後結晶化させることにより結晶化半導体薄膜を製造する結晶化半導体薄膜の製造方法であって、 上記主エネルギービームと隣り合うように副エネルギービームを、照射することを特徴とする結晶化半導体薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (5件)：

H01L21/20 ,  H01L21/268 F ,  H01L21/268 J ,  H01L21/268 T ,  H01L29/78 627G

Fターム (32件)：

5F052AA02 ,  5F052AA03 ,  5F052BA07 ,  5F052BA11 ,  5F052BA12 ,  5F052BA15 ,  5F052BA18 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052EA12 ,  5F052FA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA17 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP23