特許
J-GLOBAL ID:200903061957967510

半導体集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 堀口 浩
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-330617
公開番号(公開出願番号):特開2006-140401
出願日: 2004年11月15日
公開日(公表日): 2006年06月01日
要約:
【課題】 接合材にクラックの発生を抑制し、高信頼性が得られる半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 半導体チップと、前記半導体チップが搭載されたセラミックス基板と、前記セラミックス基板の前記半導体チップが搭載されている面と対向する面に形成された接続用金属と、前記セラミックス基板と前記接続用金属及び接合材を介して接合された放熱用金属板とを有し、前記接続用金属は、前記接続用金属の厚さが部分的に薄く形成されている領域を有することを特徴とする半導体集積回路装置。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体チップと、 前記半導体チップが搭載されたセラミックス基板と、 前記セラミックス基板の前記半導体チップが搭載されている面と対向する面に形成された接続用金属と、 前記セラミックス基板と前記接続用金属及び接合材を介して接合された放熱用金属板とを有し、 前記接続用金属は、前記接続用金属の厚さが部分的に薄く形成されている領域を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1件):
H01L25/04 C
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-081171   出願人:富士電機株式会社

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