特許
J-GLOBAL ID：200903061961727779
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-126582
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338503
出願日： 1993年05月28日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：
【要約】【目的】LSIチップ上のパッド間隔が微細化した場合でも、パッド上のバンプ電極の上面積を可及的に大きく確保してバンプ電極とリード部材との接合強度を十分に確保し、チップ上のバンプ電極配列領域の占有面積の増大を抑制する。【構成】半導体基板11上の配線12上に堆積され、配線の複数個のパッド領域上にそれぞれ対応して形成されると共にチップ周縁に沿う方向に複数個配列された開口部13aを有する絶縁保護膜13と、各開口部内に埋め込まれると共に開口部よりも上方へ突出するように形成され、パッド領域に電気的に接続された複数個のバンプ電極3とを具備する半導体装置において、複数個のバンプ電極の少なくとも一部は、上面積は底面積よりも広く、チップ周縁に沿う方向の断面は方形を有し、それに垂直な方向の断面は上辺が下辺よりも長い台形を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体チップの基板上に形成された配線と、この配線上および前記基板上に堆積され、上記配線の複数個のパッド領域上にそれぞれ対応して形成され、上記半導体チップ周縁に沿う方向に複数個配列された開口部を有する絶縁保護膜と、上記各開口部に対応して形成され、開口部内に埋め込まれ、この開口部よりも上方へ突出するように形成されて前記パッド領域に電気的に接続された複数個のバンプ電極とを具備し、上記複数個のバンプ電極の少なくとも一部は、その上面積は底面積よりも広く、半導体チップ周縁に沿う方向の断面は方形を有し、それに垂直な方向の断面は上辺が下辺よりも長い形状を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
H01L 21/92 C
, H01L 21/92 F
