特許

J-GLOBAL ID：200903061965321840

CMP方法およびそれに使用するCMP装置

発明者： 土井 建治 ,  宮下 直人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-112968
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307486
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】半導体基板の化学機械研磨に際して研磨盤の交換無しに各種の研磨条件に対応できる研磨装置、研磨方法を提供する。【解決手段】研磨盤と研磨パッドの間に中空のチューブを埋設し、チューブに充填した液体の温度、圧力を調整する事により研磨盤の直径方向に温度、高さの異なる領域を作り、研磨盤内で研磨速度を変更できるようにする。

請求項（抜粋）：

回転自在に形成された研磨盤と、前記研磨盤上面に貼付された研磨パッドと、前記研磨盤と前記研磨パッドとの間に載置された中空チューブと、前記研磨盤上面の上方に位置し、回転自在に形成され、前記研磨盤上面に対向して摺動可能で、半導体基板を固着すべき下面を有する半導体基板固定冶具と、前記研磨盤上に研磨剤を供給する研磨剤供給機構とを具備し、前記中空チューブに流体を供給し、研磨速度を制御するようにしたことを特徴とするCMP装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00

FI (4件)：

H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 J