特許
J-GLOBAL ID:200903061967743741

透明導電膜形成用ITO焼結体とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大場 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-305088
公開番号(公開出願番号):特開平9-124364
出願日: 1995年10月30日
公開日(公表日): 1997年05月13日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、透明導電膜を成膜する際に、電気伝導性および透明性を損なうことのない高密度インジウム酸化物系焼結体を提供することを目的とする。【解決手段】 インジウムおよび酸素、またはインジウム、スズおよび酸素からなるインジウム酸化物系焼結体において、カーボン含有量が0.0005〜0.5wt%であり、相対密度95.0%以上であるインジウム酸化物系焼結体。
請求項(抜粋):
実質的にIn,SnおよびOからなり、主相および第2相を有するITO焼結体において、第2相の面積が200μm2以下であることを特徴とする透明導電膜形成用ITO焼結体。
IPC (4件):
C04B 35/457 ,  C04B 35/495 ,  C23C 14/34 ,  H01B 13/00 503
FI (4件):
C04B 35/00 R ,  C23C 14/34 A ,  H01B 13/00 503 B ,  C04B 35/00 J

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