特許
J-GLOBAL ID：200903061974333699
プラズマの制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-074718
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291085
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 いわゆるゲート破壊の生起を効果的に防止できるプラズマの制御方法を提供することにある。【構成】 エッチングの進行中、プラズマに電磁石により磁場を印加してプラズマを高密度化する一方、エッチングの終了前に、この印加している磁場の強度を弱くするように電磁石を制御することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
高真空中でプラズマを発生させてスパッタ又は化学反応によってドライエッチングを行う際、磁場を印加してプラズマを高密度化するプラズマの制御方法において、エッチングの進行中、電磁石によりプラズマに磁場を印加してプラズマを高密度化する一方、エッチングの終了前に、この印加している磁場の強度を弱くするように電磁石を制御することを特徴とするプラズマの制御方法。
IPC (2件)：
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