特許
J-GLOBAL ID:200903061982252720

チヤージポンプ回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-220539
公開番号(公開出願番号):特開平5-062477
出願日: 1991年08月30日
公開日(公表日): 1993年03月12日
要約:
【要約】【目的】半導体集積回路の基板バイアス電圧生成回路に適用して好適なチャージポンプ回路に関し、チャージ・ポンピング効率の向上を図る。【構成】nMOS21、22を設け、これらnMOS21、22のオン、オフの制御をレベル変換回路23で行う。
請求項(抜粋):
クロック(CK)が入力されるクロック入力端子(12)と、第1の電源電圧(V1)を供給する第1の電源線(13)にその高電圧側の電源端子(15A)が接続され、前記第1の電源電圧(V1)よりも低電圧の第2の電源電圧(V2)を供給する第2の電源線(14)にその低電圧側の電源端子(15B)が接続され、その入力端子に前記クロック入力端子(12)を介して前記クロック(CK)が供給されるインバータ(15)と、該インバータ(15)の出力端子にその一端(16A)が接続されたコンデンサ(16)と、該コンデンサ(16)の他端(16B)と前記第2の電源線(14)との間に接続された第1のスイッチ手段(17)と、前記コンデンサ(16)の他端(16B)と出力端子(19)との間に接続された第2のスイッチ手段(18)と、前記クロック(CK)がLレベルの場合、前記第1のスイッチ手段(17)をオン、前記第2のスイッチ手段(18)をオフとし、前記クロック(CK)がHレベルの場合、前記第1のスイッチ手段(17)をオフ、前記第2のスイッチ手段(18)をオンとするスイッチ制御手段(20)とを設けて構成されていることを特徴とするチャージポンプ回路。
IPC (2件):
G11C 11/413 ,  G11C 11/407
FI (2件):
G11C 11/34 335 C ,  G11C 11/34 354 F
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭63-132468
  • 特開昭59-011662

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