特許

J-GLOBAL ID：200903061983438819

半導体装置のコンタクト形成方法

発明者： 森川 隆史
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-131159
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306783
出願日： 1995年05月02日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 コンタクト開口内側面の変形や拡大を伴わずにコンタクト底部への酸化膜形成によるコンタクト特性劣化を防止する。【構成】 開口21の底部のシリコン基板11にイオンインプランテーションにより不純物拡散領域22を形成したのち、この不純物拡散領域22と開口内側面の層間絶縁層19の表面を保護膜(シリコン酸化膜等)で覆ってから熱処理を行い、しかるのち底部の保護膜を除去する。不純物拡散領域22が露出した状態での熱処理を避けているため、シリコン基板11表面には酸化膜が殆ど形成されず、その後の洗浄は極めて軽いもので足りる。したがって、開口21の内側面の保護側壁25′は洗浄時のエッチングによる膜減りが少なく、コンタクト形状の変形(開口21の内側面に凹凸が生ずること)が防止され、コンタクトの拡大も防止される。

請求項（抜粋）：

半導体基板を覆う層間絶縁膜に、前記半導体基板に達する開口を形成する工程と、形成した開口底部の半導体基板に不純物拡散領域を形成する工程と、少なくとも前記開口の側壁と前記不純物拡散領域とを覆う保護膜を形成する工程と、前記不純物拡散領域中の不純物を活性化させるための熱処理工程と、前記不純物拡散領域を覆う前記保護膜を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置のコンタクト形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/306 F