特許

J-GLOBAL ID：200903061988640063

特性図に方向づけられた過負荷評価装置を有する回路装置

発明者： エルンスト シマネク ,  マルクス ビルマン
出願人/特許権者： ゼミクロン エレクトローニク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 伊藤 武久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152571
公開番号（公開出願番号）：特開2000-050633
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 パワーパラメータ特性図のダイナミックなリアルタイム評価が行われて、それによって過負荷評価の形での負荷状況及び負荷に耐える能力についての現在のデータがコントロールシステムに供給される回路装置を提供する。【解決手段】 パワー半導体素子、例えばIGBTスイッチあるいはMOSFETスイッチをそれに接続されたフリーホイーリングダイオードとともに有する、特性図に方向づけられた過負荷評価装置を有する回路装置において、パワースイッチ及び回路装置の残りのシステムの動作パラメータがパーマネントに評価されて乗法箇所を経てフォーマットされ、そこから、それ自体で産出する電流切断しきいが生じ、オンライン作動中に、重ねられたコントロールシステムに供給される。

請求項（抜粋）：

パワー半導体素子、例えばIGBTスイッチあるいはMOSFETスイッチをそれに接続されたフリーホイーリングダイオードとともに有する、特性図に方向づけられた過負荷評価装置を有する回路装置において、前記パワースイッチ及び当該回路装置の残りのシステムの動作パラメータがパーマネントに評価されて乗法箇所を経てフォーマットされ、そこから、それ自体で産出する電流切断しきいが生じ、オンライン作動中に、重ねられたコントロールシステムに供給されることを特徴とする回路装置。

IPC (3件)：

H02M 7/12 ,  H02M 1/00 ,  H02M 7/48

FI (3件)：

H02M 7/12 H ,  H02M 1/00 R ,  H02M 7/48 M