半導体レーザ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野佳直 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-156532
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005969
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】埋め込み型半導体レーザにおいて、低しきい値でかつ安定な横モードを得る。【構成】 (111)A面を有する(001)面n型GaAs基板1上のクラッド層2および5の間の(111)A面に光導波層3、量子井戸活性層4からなる活性領域を埋め込むと共に、クラッド層5上にキャップ層6を、さらに(111)A面を除く(001)面に電流ブロック層7を設ける。結晶成長が行われる面の結晶方位は(001)と(111)Aと決まっているため、成長条件を決めるとそれぞれの面上での結晶成長速度が決まり、膜厚や活性領域の幅などを細かく制御することができる。また(111)A面の斜面上のみに活性領域が形成されているため、注入された電流のうち上部クラッド層で横方向に拡散した電流の再結合を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

第一導電型GaAs基板の結晶方位に対して[011]方向に伸びたストライプ状の(111)A面の斜面を有する(001)面基板上に成長させた、第一導電型クラッド層と第二導電型クラッド層との間に光導波層により挟まれた活性層が設けられた半導体レーザ装置において、前記光導波層と該光導波層により挟まれた活性領域とが前記(001)面基板の(111)A面の斜面上に埋め込まれていることを特徴とする半導体レーザ装置。

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