特許
J-GLOBAL ID：200903061997046603
オキシスチレン誘導体の蒸留方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-165030
公開番号（公開出願番号）：特開2003-055288
出願日： 2002年06月06日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：
【要約】【課題】 従来法の欠点を示さない新しいオキシスチレン誘導体の蒸留方法を提供する。【解決手段】 ナフトキノンまたはナフトキノン誘導体を重合禁止剤として、下記の一般式(I)(式中、Rはアルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基、シクロアルキルアルキル基、置換または非置換アリール基、特にフェニル基、置換または非置換アラルキル基、特にベンジル基、アルコキシアルキル基、アルカノイル基、特にアセチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、またはアルキルシリル基を示す)で表わされるオキシスチレン誘導体に添加し、この重合禁止剤の存在下に該オキシスチレン誘導体を蒸留することを特徴とする、該オキシスチレン誘導体の蒸留方法が開発された。本方法によれば、蒸留工程中に高粘稠なポリマー状物質の形成が防止され、留出されたオキシスチレン誘導体の回収率が高いという効果が得られた。
請求項（抜粋）：
ナフトキノンまたはナフトキノン誘導体を重合禁止剤として、下記の一般式(I)(式中、Rはアルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基、シクロアルキルアルキル基、置換または非置換アリール基、特にフェニル基、置換または非置換アラルキル基、特にベンジル基、アルコキシアルキル基、アルカノイル基、特にアセチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、またはアルキルシリル基を示す)で表わされるオキシスチレン誘導体に添加し、その重合禁止剤の存在下に該オキシスチレン誘導体を蒸留することを特徴とする、一般式(I)のオキシスチレン誘導体の蒸留方法。
IPC (3件)：
C07C 41/42
, C07C 41/46
, C07C 43/215
C07C 41/42
, C07C 41/46
, C07C 43/215
4H006AA02
, 4H006AD11
, 4H006AD41
, 4H006GP03
