特許

J-GLOBAL ID：200903062000577430

化学蒸着反応炉及びこれを利用した薄膜形成方法

発明者： イ チュンス ,  ガン ウォング ,  イ ギュホン ,  イ キョンス
出願人/特許権者： ゼニテックインコーポレイテッド
代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-505047
公開番号（公開出願番号）：特表2003-502501
出願日： 2000年06月19日
公開日（公表日）： 2003年01月21日
要約：

【要約】本発明は、反応ガスの供給を素早く切換え得る化学蒸着装置の反応炉及びこれを利用した薄膜形成方法を提供する。この反応炉は、反応ガスの流出入口を有し、反応炉内部より低い圧力を有する反応炉の他の箇所から反応ガスを隔離させるための反応炉蓋と、突出部を有し前記突出部とともに前記反応炉蓋に装着され、前記流出入口を通過するガスの流れを前記蓋との隙間により調節するガス流れ調節板と、前記反応炉蓋と接触して反応室を形成し、前記反応室に設けられる基板を支持する基板支持板とを備える。蒸着ガス、反応ガス及びパージガスからなるプロセスガスを時分割的に周期的に組合わせして反応炉に供給することによって、基板上に膜を形成する化学蒸着法を進行し、各プロセスガスの少なくともいずれか一つの供給周期と同期して、これを活性化させるためのプラズマを基板上で発生させる。

請求項（抜粋）：

化学蒸着装置の反応炉であって、 反応ガスの流出入口を有し、反応炉内部より低い圧力を有する反応炉の他の箇所から反応ガスを隔離させるための反応炉蓋と、 突出部を有し前記突出部とともに前記反応炉蓋に装着され、前記流出入口を通過するガスの流れを前記蓋との隙間により調節するガス流れ調節板と、 前記反応炉蓋と接触して反応室を形成し、前記反応室に設けられる基板を支持する基板支持板とを含むことを特徴とする反応炉。

Fターム (9件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030DA09 ,  4K030FA03 ,  4K030KA11 ,  4K030KA12 ,  4K030KA14 ,  4K030KA22