特許
J-GLOBAL ID:200903062004693311

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梶原 辰也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-161647
公開番号(公開出願番号):特開2001-345287
出願日: 2000年05月31日
公開日(公表日): 2001年12月14日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウエハのチッピングや欠けを防止する。【解決手段】 第一ブレード29、第二ブレード30が回転されながらウエハ1に対して相対的に移動されてウエハ1がペレットに分断されるダイシング工程において、第一ブレード29がウエハ1の表面側部分をダウンカット法によって切削して第一切削溝41を形成し、第二ブレード30が第一切削溝41の溝底であるウエハ1の裏面側部分をアップカット法によって切削して第二切削溝42を形成することにより、ウエハ1をフルカットする。【効果】 ウエハの表面側部分はダウンカット法で切削されるため、チッピングを防止できる。ウエハの裏面側部分はアッパカット法で切削されることでウエハの外部から内部に向かって力が働くため、欠けを防止できる。
請求項(抜粋):
ブレードが回転されながら半導体ウエハに対して相対的に移動されて半導体ウエハがダイシングされるダイシング工程を備えている半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウエハの表面側部分は前記ブレードがダイシングする進行方向が下側になるように回転された状態で切削し、前記半導体ウエハの裏面側部分は前記ブレードがダイシングする進行方向が上側になるように回転された状態で切削することを特徴とする半導体装置の製造方法。

前のページに戻る